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分立器件
>S-24C04BFJ-TB市场上的主要产品DDR3耗电量低,且资讯传输速度约2倍,微次世代DRAM规格。而两大韩厂推出的试制品采用了联合电子装置工程协会(JEDEC)规格。全球记忆体晶片业者中,目前仅三星和海力士研发出DDR4试制品,未来DDR4的化作业主导权,可能也会落到三星及海力士手上。三星推出的DDR4记忆体在1.2伏特(V)电压下可驱动2,133MHz,而海力士的产品在同样的电压下,可驱动2,400MHz。相较于两大韩厂的试制品在1.5V下驱动的DDR3记忆体相比,耗电量了40~50%。三星及海力士内部人员透露,瞄准高规格电脑或超小型伺服器市场,2012年底将会采用20奈米等级制程量产DDR4产品。海力士行销本部长金知范指出,海力士研发的DDR4试制品可环保、低耗电、高性!能等特性。除现有的电脑及伺服器市场外,也将会针对快速成长的平板电脑(TabletPC)市场提出具高附加价值的=决方案。根据市调机构iSuppli统计,整体DRAM晶片中,DDR4比重在2013年将会达到1%,至2015年可望突破45%,成为市场主要产品。此外,DDR3产品比重在2011年时为72%,达值后将,2015年将会至15%。
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